Samsung столкнулась с вызовами в литейном бизнесе, связанными с привлечением клиентов для своих новейших процессов производства чипов, включая 3-нм и 4-нм технологии. Несмотря на эти трудности, компания продвигается вперед в разработке еще более передовых технологий, таких как 2-нм техпроцесс.
Планы Samsung включают начало массового производства чипов с использованием 3-нм технологии позже в этом году. Кроме того, компания разрабатывает 2-нм техпроцесс с использованием технологии затворных транзисторов (GAA) следующего поколения, массовое производство которой запланировано на 2025 год. Samsung планирует продемонстрировать эту технологию на предстоящих отраслевых конференциях.
Технология GAA представляет собой новую конструкцию транзистора, которая повышает эффективность и производительность за счет улучшенного прохождения тока. Хотя Samsung впервые использовала технологию GAA в своем 3-нм техпроцессе, пока ею воспользовались только их собственные процессоры Exynos. Второе поколение 3-нм технологии GAA ожидается к началу массового производства позднее в 2024 году, что, вероятно, принесет еще большие преимущества.
Хотя основной конкурент, TSMC, еще не внедрил технологию GAA, ожидается, что как Samsung, так и TSMC, вместе с Intel, будут использовать ее в своих будущих 2-нм процессах.