Samsung объявила о запуске массового производства новых чипов памяти V-NAND 9-го поколения, которые обладают рядом значительных улучшений. Они имеют битовую плотность на 50% выше, чем у продуктов предыдущего поколения, что делает их еще более емкими и эффективными. Новые чипы также поддерживают интерфейс флэш-памяти NAND «Toggle 5.1», который обеспечивает увеличение скорости передачи данных до 3,2 Гбит/с, на 33% превышая предыдущие поколения. Кроме того, они более энергоэффективны на 10%.
Для достижения этих результатов Samsung применила ряд инноваций, включая технологии предотвращения помех в сотовой связи и продления срока службы. Кроме того, компания использовала передовую технологию травления каналов, чтобы максимизировать производительность на заводе.
Эти новые чипы будут использоваться в высокопроизводительных твердотельных накопителях, а Samsung планирует расширить поддержку PCIe 5.0, чтобы использовать всю дополнительную скорость. В настоящее время компания массово производит чипы V-NAND 9-го поколения емкостью 1 ТБ с трехуровневыми ячейками (TLC), а во второй половине года планируется начать производство варианта с четырехуровневыми ячейками (QLC).